060N03L

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060N03L OptiMOS™3 Power-Transistor Mosfet 30V 50A

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060N03L IPD060N03L MOSFET.

Principales características

Fabricante: INFINEON

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 56 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 640 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.006 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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060N03L
Mosfet Canal N 30V 50A TO252

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