090N03L

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090N03L OptiMOS™3 Power-Transistor Mosfet 30V 40A

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090N03L IPD090N03L MOSFET

Principales características

Fabricante: INFINEON

Hoja de Datos: datasheet(PDF)

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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090N03L
Mosfet TO252 30V 40A