FDD5614P

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FDD5614P Mosfet Canal P 60V 15A TO-252 DPak x 10 Unidades

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Disponibilidad: 100 disponibles

SKU: IRF1407 Categoría: Etiqueta:

Número de Parte: FDD5614P  | Fabricante: Fairchild
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V
Carga de compuerta (Qg): 15 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252, DPAK

Hoja de datos: fdd5614p.pdf pdf icon Size:101K _fairchild_semi

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Componente por pedido en lote de 10 unidades | D8 Mosfet P-ch 60v 15a Dpak  X 10 Unidades |

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